二維材料作為原子級厚度的前沿材料，其不同的量子限域效應(yīng)為納米器件研發(fā)開辟了新路徑。而微納加工技術(shù)作為二維材料器件化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，正迎來革命性突破 —— 無掩膜光刻技術(shù)以靈活高效的優(yōu)勢，成為推動二維材料研究進(jìn)展的重要工具。

各種二維材料及結(jié)構(gòu)

二維材料（如石墨烯、過渡金屬硫化物等）的電學(xué)性能研究需經(jīng)歷多維度技術(shù)攻關(guān)：

相較于傳統(tǒng)紫外 / 電子束光刻，無掩膜光刻技術(shù)通過數(shù)字微鏡器件（DMD）實(shí)現(xiàn)圖案的實(shí)時編輯，無需物理掩模板，顯著縮短研發(fā)周期。以新型 DMD 無掩模光刻機(jī)為例，其技術(shù)優(yōu)勢體現(xiàn)在：

某科研團(tuán)隊(duì)利用無掩膜光刻技術(shù)對機(jī)械剝離的二維材料樣品進(jìn)行電極加工：通過 DMD 光刻機(jī)直接定義叉指電極圖案，經(jīng)電子束蒸發(fā)沉積金屬電極后，丙酮剝離工藝保留了完整的電極結(jié)構(gòu)。測試顯示，器件在低溫磁場環(huán)境下展現(xiàn)出穩(wěn)定的電學(xué)響應(yīng)，證明該技術(shù)在二維材料器件制備中的可靠性。

澤攸科技DMD無掩膜光刻機(jī)

無掩膜光刻技術(shù)正推動二維材料研究從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化：一方面，其與柔性基底結(jié)合可拓展至可穿戴器件領(lǐng)域；另一方面，深紫外光源與三維集成技術(shù)的融合，為量子器件、異質(zhì)結(jié)陣列的制備提供了新可能。隨著技術(shù)迭代，無掩膜光刻或?qū)⒊蔀槎S材料器件規(guī)?；a(chǎn)的關(guān)鍵橋梁。